PGS. TS. Vũ Thị Hạnh Thu

Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG TPHCM

- Hoàn thiện tiếp xúc dị thể ZnO/Si với điều kiện chế tạo tối ưu như một pin mặt trời
- Nghiên cứu tổng quan về độ cao rào thế trên mặt tiếp giáp giữa kim loại-bán dẫn loại p. Nghiên cứu tổng quan về trạng thái bề mặt và ảnh hưởng lên tiếp xúc p-n, tiếp xúc kim loại-bán dẫn
- Nghiên cứu và hoàn chỉnh quy trình chế tạo bia gốm ZnO pha tạp Al và Ga phù hợp cho triển khai ứng dụng
- Nghiên cứu chế tạo màng dẫn điện trong suốt ZnO pha tạp Al và Ga cho tính chất quang điện tối ưu trên đế thủy tinh
- Áp dụng những kỹ thuật cải tiến phương pháp phún xạ magnetron DC để giảm sự bắn phá đế nhằm giảm thiểu các sai hỏng tại mặt tiếp giáp của ZnO/Si

- Hoàn thiện quy trình chế tạo bia (target) cho phương pháp phún xạ magnetron
- Chế tạo màng ZnO pha tạp Al và Ga trên đế thủy tinh có tính chất như một TCO bằng phương pháp phún xạ magnetron
- Chế tạo pin năng lượng mặt trời dựa trên tiếp xúc dị thể ZnO:Al/Si, ZnO:Ga và đánh giá ảnh hưởng trạng thái bề mặt lên hiệu ứng quang điện của tiếp xúc.
-Đào tạo: 03 cử nhân ( trong đó 01 cử nhân đoạt giải III, Giải thưởng Tài năng khoa học trẻ Việt nam 2013 (Bộ giáo dục&Đào tạo) và 01 Thạc sỹ
- Bài báo: 02 bài báo đăng trong Tạp chí Khoa học & Công nghệ Việt Nam 2013, Tập 51, số 5A, 2013, pp 121-128, pp 129-133