ThS. Nguyễn Việt Hưng
CN. Nguyễn Viết Thể

Trung tâm Nghiên cứu Triển khai Khu Công nghệ cao

Thiết kế bộ mặt nạ quang khắc photomask để truyền ảnh các chi tiết lên SiC wafers thông qua quy trình quang khắc (đặt chế tạo tại nước ngoài).
Chế tạo tiếp xúc Schottky và tiếp xúc Ohmic sử dụng các kim loại Ti, Ni, Al, Au.
Thí nghiệm ủ nhiệt diode Schottky từ 200°C tới 500°C có bước 50°C.
Đánh giá về cấu trúc các màng Silicon nitride (Si3N4), Silicon oxide (SiO2), điện cực Ti/Al/Ni/Au.
Sử dụng 3 loại wafers EPI SiC: Khảo sát ảnh hưởng của độ dày lớp EPI SiC pha tạp loại N, nồng độ tạp chất và loại tạp chất lên điện thế đánh thủng, dòng rỉ, nhiệt độ hoạt động.

Đã thiết kế và chế tạo 02 wafer có kích thước đường kính 2 inch có các chip diode Schottky SiC.
Gửi nước ngoài chế tạo 01 bộ mặt nạ quang khắc: gồm 02 mask thạch anh với lớp mặt nạ bằng kim loại chrome, kích thước 5"x5", dày 2,3mm, kích thước tới hạn 2μm.